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AS4C64M8D1-5BINTR

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功能描述
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA
制造商
alliance memory, inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR
存储容量
512Mb （64M x 8）
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字，页
15ns
访问时间
700ps
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.3 V ~ 2.7 V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
60-TFBGA
供应商器件封装
60-FBGA（8x13）
标准包装
2,500

AS4C64M8D1-5BINTR 技术参数

AS4C64M8D1-5BIN 功能描述:IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512M（64M x 8）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（13x8）标准包装:240 AS4C64M8D1-5BCNTR 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:512Mb （64M x 8）时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（8x13）标准包装:2,500 AS4C64M8D1-5BCN 功能描述:IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 60FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR SDRAM 存储容量:512M（64M x 8）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:60-TFBGA 供应商器件封装:60-FBGA（13x8）标准包装:240 AS4C64M4SA-7TINTR 功能描述:54PIN TSOP II 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:256Mb （64M x 4）时钟频率:143MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）标准包装:1,000 AS4C64M4SA-7TIN 功能描述:54PIN TSOP II 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR 存储容量:256Mb （64M x 4）时钟频率:143MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）标准包装:108 AS4C64M8D2-25BINTR AS4C64M8D3-12BCN AS4C64M8D3-12BCNTR AS4C64M8D3-12BIN AS4C64M8D3-12BINTR AS4C64M8D3L-12BCN AS4C64M8D3L-12BCNTR AS4C64M8D3L-12BIN AS4C64M8D3L-12BINTR AS4C64M8SA-7TCN AS4C64M8SA-7TCNTR AS4C8M16D1-5BCN AS4C8M16D1-5BCNTR AS4C8M16D1-5BIN AS4C8M16D1-5BINTR AS4C8M16D1-5TCN AS4C8M16D1-5TCNTR AS4C8M16D1-5TIN