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ATP113
现货
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
23480
on
原封装
全新环保批次
-

ATP113-TL-H
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
1740
ON
16+
-

ATP113-TL-H
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ON
TO-252
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

ATP113
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
21807
ON/安森美
IPAK-5TP-5H
22+
-

ATP113-TL-H
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi
ATPAK-3
2025+
-

ATP113-TL-H
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ON
SMD
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

ATP113
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
DPAK/TO-252
25+
-
国产品牌，替代进口

ATP113-TL-H
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
40000
Onsemi
DPAK (Single Gauge)
23+
-
原装正品现货，假1罚100

ATP113
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ON
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

ATP113-TL-H
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新进口
-
国内授权代理分销

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制造商
SANYO
制造商全称
Sanyo Semicon Device
功能描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP113 技术参数

ATP112-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:79.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 38A，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:ATPAK 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）标准包装:3,000 ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H

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