ATP208-TL-H全国供应商 ATP208-TL-H资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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ATP208-TL-H
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
21+
100
新批次
-
原装现货价格当天确认

ATP208-TL-H
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66889
ON/安森美
TO-252
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

ATP208-TL-H
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

ATP208-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13125
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

ATP208-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

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1

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功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ATP208-TL-H 技术参数

ATP207-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.1 毫欧 @ 33A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2710pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP207-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP204-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP203-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.2 毫欧 @ 38A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2750pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y

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