ATP302-TL-H全国供应商 ATP302-TL-H资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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ATP302-TL-H
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
21471
ON(安森美)
22+
-
原装原厂现货

ATP302-TL-H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ONS
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

ATP302-TL-H
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
21+
100
新批次
-
原装现货价格当天确认

ATP302-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

ATP302-TL-H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2565
原厂
ROHS
1410+
-
原装正品现货库存

ATP302-TL-H
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
3000
ONS
ORIGONAL
16+
-
0.73632 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET POWER MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ATP302-TL-H 技术参数

ATP301-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:70W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP2PS-CKIT 功能描述:2 Position Rectangular Plug and Receptacle Connector Crimp 12-14 AWG 制造商:amphenol sine systems corp 系列:ATP 系列? 包装:散装零件状态:有效连接器类型:插头和插座触头类型:母插口；公插脚针脚数:2 间距:- 排数:1 排距:- 安装类型:自由悬挂紧固类型:销锁电缆端接:压接线缆类型:离散式线规:12-14 AWG 特性:楔形锁触头镀层:- 触头镀层厚度:- 颜色:灰标准包装:10 ATP218-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP216-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 18A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP214-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.1 毫欧 @ 38A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片）供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99 ATPL00BSK-99 ATPL100A-AZU-Y ATPL100AEK ATPL100DK-99 ATPL100SK-99 ATPL10SFLT-99 ATPL210A-A1U-Y ATPL210DK-99 ATPL210SK-99 ATPL21SFLT-99 ATPL21SFPR-99

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