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AUIRFN8458TR

配单专家企业名单
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  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

    AUIRFN8458TR

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • INFINEON/英飞凌

  • TDSON-8

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

    资质:营业执照

  • 328319

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

    AUIRFN8458TR

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 0

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 晶体管

  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

    AUIRFN8458TR

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 328319

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

  • 328319

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 优势库存,原装正品

  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 328319

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  • 24+

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  • 优势库存,原装正品

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13969210552

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 328319

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 现货常备京北通宇商城可查价格

  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 14735

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • AUIRFN8458TR
    AUIRFN8458TR

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 4000

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主营优势

  • 19+

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  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • HEXFET?
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源电压(Vdss)
  • 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 43A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 10 毫欧 @ 26A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.9V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 33nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 1060pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 34W(Tc)
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • PQFN(5x6)
  • 标准包装
  • 4,000
AUIRFN8458TR 技术参数
  • AUIRFN8405TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 187A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5142pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN8403TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):98nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3174pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN(5x6) 标准包装:1 AUIRFN8401TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2170pF @ 25V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7110TR 功能描述:MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3050pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):77nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.4W(Ta),125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 45A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PQFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR3504 AUIRFR3504TRL AUIRFR3504Z AUIRFR3607
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