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B82462G4682

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  • B82462G4682M000
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    B82462G4682M000

  • 深圳市湘达电子有限公司
    深圳市湘达电子有限公司

    联系人:朱平

    电话:0755-83229772-83202753

    地址:办公地址 帮我改成 深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • B82462G4682M
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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:周小姐/高先生

    电话:1376027201718520805148

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 64577

  • EPCOS / TDK

  • 25+

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

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  • 标准封装

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  • B82462G4682M
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

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  • 09/10+

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

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  • 原厂封装

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  • B82462G4682M
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  • 深圳市百润电子有限公司
    深圳市百润电子有限公司

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  • 1300

  • EPCOS

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B82462G4682 技术参数
  • B82462G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 240mA 2.7 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:240mA 电流 - 饱和值:180mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):2.7 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):310 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):40 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 270mA 2.3 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:330μH 容差:±20% 额定电流:270mA 电流 - 饱和值:220mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):2.3 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82462G4333M 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 230 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:720mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):230 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K B82464A2362M B82464A2472M B82464A2473K B82464A2682M B82464A2683K B82464A4102M B82464A4103M
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