BAP65LX,315

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说明
操作

BAP65LX,315
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
57945
NXP/恩智浦
SOD2
2025+
-

BAP65LX,315
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
52411
NXP Semiconductors
SOD-882T
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BAP65LX,315
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOD2
18+
-
RF Diode PIN - Singl...

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您是不是要找： BAP70-02,115 BAP70-03,115 BAP70-04W,115 BAP70-05,215 BAP70AM,115 BAP70AM,135 BAP70Q,125 BAQ133-GS08 BAQ133-GS18

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功能描述
PIN 二极管 RF Pin Diode
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
配置
反向电压
200 V
正向连续电流
频率范围
10 MHz to 6 GHz
端接类型
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-3
封装
Reel

BAP65LX,315 技术参数

BAP65-05W,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:240mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BAP65-05,215 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 30V 100mA 250mW SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.425pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）标准包装:3,000 BAP65-03,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:500mW 封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BAP65-02,135 功能描述:RF Diode PIN - Single 30V 100mA 715mW SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:10,000 BAP65-02,115 功能描述:DIODE PIN 30V 100MA SOD-523 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:715mW 封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 标准包装:1 BAQ134-GS08 BAQ134-GS18 BAQ135-GS08 BAQ135-GS18 BAQ333-TR BAQ333-TR3 BAQ334-TR BAQ334-TR3 BAQ335-TR BAQ335-TR3 BAQ33-GS08 BAQ33-GS18 BAQ34-GS08 BAQ34-GS18 BAQ35-GS08 BAQ35-GS18 BAR 14-1 E6327 BAR 15-1 E6327