BAS116T,115全国供应商 BAS116T,115资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
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BAS116T,115
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BAS116T,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
72801
NXP USA Inc.
SC-75, SOT-416
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BAS116T,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
33957
NXP USA Inc.
SC-75, SOT-416
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BAS116T,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

BAS116T,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SC-75
18+
-
DIODE GEN PURP 75V 2...

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Diode Std Recovery Rectifier 85V 0.215A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

BAS116T,115 技术参数

BAS116QAZ 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010D-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LYL 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:325mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS116LT3G 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 BAS116LT1G 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LT1 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10 BAS12507WE6327HTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 BAS140WE6327HTSA1 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235 BAS16_D87Z BAS16_L99Z BAS16_S00Z BAS1602LE6327XTMA1 BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602WH6327XTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 BAS16-7 BAS16-7-F BAS16-D87Z BAS16D-E3-08

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