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BAT85113
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深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
2769
NXP
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

BAT85113
深圳市晶美隆科技有限公司
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联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13620
NXP
NULL
23+
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只做全新原装正品现货

BAT85113
深圳市崧晔达科技有限公司
深圳市崧晔达科技有限公司
联系人：苑小姐
电话：13926591096
地址：深圳市福田区新亚洲二期N1A160
资质：营业执照
64
NXP
N/A
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只做原装，实单来谈

BAT85113
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
69800
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22+
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授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

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深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
12500
PHI
2012+
-
只做原装正品

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Diode

BAT85113 技术参数

BAT85,133 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:DO-34 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 BAT85,113 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO34 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向供应商器件封装:DO-34 工作温度 - 结:125°C（最大）基本零件编号:BAT85 标准包装:1 BAT83S-TR 功能描述:Diode Schottky 60V 30mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:30mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:1.6pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:10,000 BAT83S-TAP 功能描述:Diode Schottky 60V 30mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:30mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:1.6pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:10,000 BAT82S-TR 功能描述:Diode Schottky 50V 30mA (DC) Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:30mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:1.6pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:10,000 BAT86,133 BAT867-RUSW99AU999AT199L999ZHX BAT867-RUSW99CU999AT199L999ZHX BAT86S-TAP BAT86S-TR BAT960,115 BATH11-ES BATH12-ES BATH15-ES BATH16-ES BATH17-ES BATH18-ES BATH19-ES BATH21-ES BATH22-ES BAT-HLD-001 BAT-HLD-001-THM BAT-HLD-001-TR

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