BC847BPDW1T3G全国供应商 BC847BPDW1T3G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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BC847BPDW1T3G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
ONSEMI
2025+
-

BC847BPDW1T3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ON Semiconductor
6-TSSOP，SC-88，SOT-36
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

BC847BPDW1T3G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
82490
ON
SOT-363
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BC847BPDW1T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50200
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

BC847BPDW1T3G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
19106
Onsemi
价格优势
2425
-
全新原装渠道现货

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功能描述
两极晶体管 - BJT SS SC88 GP XSTR DUAL 45V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BC847BPDW1T3G 技术参数

BC847BPDW1T2G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC847BPDW1T1G 功能描述:TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:1 BC847BNMMTF 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC847BM-TP 功能描述:NPN PLASTIC-ENCAPSULATE BIPLOAR 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883 标准包装:1 BC847BMTF 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BC847BS BC847BS,115 BC847BS,135 BC847BS/DG/B2,115 BC847BS-7-F BC847BS-TP BC847BT TR BC847BT,115 BC847BT116 BC847BT-7 BC847BT-7-F BC847B-TP BC847BTT1 BC847BTT1G BC847BT-TP BC847BV,115 BC847BV,315 BC847BV-7

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