BD439G全国供应商 BD439G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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价格
说明
操作

BD439G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ON/安森美
TO126
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BD439G
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
ON
TO126
22+
-
全新原装现货供应

BD439G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ONS
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BD439G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
55740
onsemi(安森美)
TO-225
2025+
-

BD439G
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
14600
ON
TO126
24+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

BD439G
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
ON
TO126
15+
-
原装正品，假一罚十

BD439G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
CASE 77 PBFR
10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BD439G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
21080
ON
TO-126F
14+
-
原装现货/特价

BD439G
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
19570
on
to-126f
14+
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
两极晶体管 - BJT 4A 60V 36W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BD439G 技术参数

BD439 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD438TG 功能描述:TRANS PNP 45V 4A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225 标准包装:50 BD438STU 功能描述:TRANS PNP 45V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126-3 标准包装:60 BD438S 功能描述:TRANS PNP 45V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:250 BD438G 功能描述:TRANS PNP 45V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 BD442G BD442S BD442STU BD45000 BD45000BL BD450M2EFJ-CE2 BD450M2FP3-CE2 BD450M2WEFJ-CE2 BD450M2WFP3-CE2 BD450M5FP2-CZE2 BD450M5FP-CE2 BD450M5WFP2-CZE2 BD450M5WFPJ-CZE2 BD45231G-TR BD45232G-TR BD45235G-TR BD45241G-TR BD45242G-TR

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