配单专家企业名单

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说明
操作

BF246C
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
TO-92
23+
-
全新原装现货热卖

BF246C
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MOTO
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BF246C
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
MOTOROLA
分立/功率器件
14+
-
全新原装，进口现货，准时交货，量大优惠

BF246C
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8900
FAI
TO-92
11+
-
绝对公司原装现货

BF246C
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
12308
FAI
TO-92
04+
-
只做原装正品现货价格优势

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
PLASTIC-CASE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS

BF246C 技术参数

BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF246A 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF245C_J35Z 功能描述:RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF26180-24B BF26188-20B BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0