BF991,215全国供应商 BF991,215资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
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BF991,215
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BF991,215
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生/高先生/周小姐
电话：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
60802
NXP USA Inc.
TO-253-4, TO-253AA
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BF991,215
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

BF991,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-143B
18+
-
MOSFET NCH DUAL GATE...

BF991,215
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2300
NXP
ROHS
13+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

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功能描述
射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual Dual Gate
晶体管极性
N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）
汲极/源极击穿电压
6 V
闸/源击穿电压
6 V
漏极连续电流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88
封装
Reel

BF991,215 技术参数

BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件状态:过期大小/尺寸:9.0mm x 59mm 类型:CCFL - 紫外线（UV）窄频谱电压:375V 启动，150V 操作电流:5mA 输出:0.15μW，cm2 @ 1" 标准包装:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS

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