BF996S,215全国供应商 BF996S,215资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
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BF996S,215
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1651+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BF996S,215
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
876500
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BF996S,215
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

BF996S,215
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/曹先生/高先生
电话：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
49721
NXP USA Inc.
TO-253-4, TO-253AA
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BF996S,215
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
PHILIPS
原装正品,香港现货!
06+
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

BF996S,215
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-143B
18+
-
MOSFET N-CH 20V 30MA...

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功能描述
射频MOSFET小信号晶体管 TAPE7 MOS-RFSS
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual Dual Gate
晶体管极性
N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）
汲极/源极击穿电压
6 V
闸/源击穿电压
6 V
漏极连续电流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88
封装
Reel

BF996S,215 技术参数

BF994S,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:200MHz 增益:25dB 电压 - 测试:15V 额定电流:30mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF992,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:200MHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:40mA 噪声系数:1.2dB 电流 - 测试:15mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF991,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:N 通道双门频率:100MHz 增益:29dB 电压 - 测试:10V 额定电流:20mA 噪声系数:0.7dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:20V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS BFA.MH.100.XAZ BFA0000002 BFA0020001

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