BFG21W,115全国供应商 BFG21W,115资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
操作

BFG21W,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
PHILIPS
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

BFG21W,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
64061
NXP USA Inc.
SC-82A, SOT-343
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BFG21W,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

BFG21W,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NXP
SOIC/DIP
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

BFG21W,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
CMPAK-4
18+
-
TRANS NPN 15V .5A 18...

BFG21W,115
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3555
PHILIPS
SO/DIP
201320+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

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功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN 15V .5A 18GHZ
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFG21W,115 技术参数

BFG198,115 功能描述:TRANS NPN 10V 8GHZ SC73 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG135AE6327XT 功能描述:RF Transistor NPN 15V 150mA 6GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:6GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:2,000 BFG135,115 功能描述:TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFG10W/X,115 功能描述:RF Transistor NPN 10V 250mA 1.9GHz 400mW Surface Mount 4-SO 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:3,000 BFG10/X,215 功能描述:TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:8V 频率 - 跃迁:1.9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:SOT-143B 标准包装:1 BFG35,115 BFG403W,115 BFG410W,115 BFG410W,135 BFG424F,115 BFG424W,115 BFG425W,115 BFG425W,135 BFG480W,115 BFG480W,135 BFG505,215 BFG505/X,215 BFG505/X,235 BFG520,215 BFG520,235 BFG520/X,215 BFG520/X,235 BFG520/XR,215

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