BFU630F,115全国供应商 BFU630F,115资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
操作

BFU630F,115
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BFU630F,115
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
57945
NXP/恩智浦
DFP
2025+
-

BFU630F,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

BFU630F,115
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
NXP Semiconductors
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

BFU630F,115
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
5000
JST
N/A
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

BFU630F,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
4-DFP
18+
-
TRANSISTOR NPN SOT34...

BFU630F,115
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
30000
NXP
ORIGONAL
16+
-
0.14632 USD,szpoweri...

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功能描述
射频双极小信号晶体管 Single NPN 21GHz
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFU630F,115 技术参数

BFU610F,115 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13.5dB ~ 23.5dB 功率 - 最大值:136mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:4-DFP 标准包装:1 BFU590QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:6.5dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFU590GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:2W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 80mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SC-73 标准包装:1 BFU580QX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 60MA SOT89-3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:10.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 BFU580GX 功能描述:TRANS RF NPN 12V 60MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1.8GHz 增益:10.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BFU768F,115 BFU790F,115 BFU910FX BFV10-10L BFV10-10Q BFV10-6L BFV10-6Q BFV10-8L BFV10-8Q BFV14-10C BFV14-10L BFV14-10Q BFV14-6C BFV14-6L BFV14-6Q BFV14-8C BFV14-8L BFV14-8Q