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BLF6G20-180RN

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人：廖小姐

    电话：13410012158

    地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

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    联系人：彭先生

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Power LDMOS transistor
BLF6G20-180RN 技术参数
  • BLF6G20-180PN,112 功能描述:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS（双），共源 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:18dB 电压 - 测试:32V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.6A 功率 - 输出:50W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:20 BLF6G20-110,112 功能描述:IC BASESTATION FINAL SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:29A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:25W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF6G15LS-500H,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 1.45Ghz ~ 1.49GHz 16dB 65W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双），共源 频率:1.45Ghz ~ 1.49GHz 增益:16dB 电压 - 测试:50V 额定电流:45A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A 功率 - 输出:65W 电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:20 BLF6G15LS-40RN,118 功能描述:TRANS RF LDMOS 40W SOT1135B 制造商:ampleon usa inc. 系列:* 零件状态:上次购买时间 标准包装:100 BLF6G15LS-40RN,112 功能描述:FET RF 65V 1.51GHZ SOT1135B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 晶体管类型:LDMOS 频率:1.48GHz ~ 1.51GHz 增益:22.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:375mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1135B 供应商器件封装:SOT1135B 标准包装:20 BLF6G20LS-110,118 BLF6G20LS-140,112 BLF6G20LS-140,118 BLF6G20LS-180RN,11 BLF6G20LS-180RN:11 BLF6G20LS-75,112 BLF6G20LS-75,118 BLF6G20S-230PRN,11 BLF6G20S-230PRN:11 BLF6G20S-45,112 BLF6G20S-45,118 BLF6G21-10G,112 BLF6G21-10G,135 BLF6G22-180PN,112 BLF6G22-180PN,135 BLF6G22-180RN,112 BLF6G22-45,112 BLF6G22-45,135
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