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BLF6G21-10G135

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    BLF6G21-10G135

    BLF6G21-10G135

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • NXP SEMI

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BLF6G21-10G135 技术参数
  • BLF6G21-10G,135 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 700mW 2-CDIP 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:700mW 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标准包装:500 BLF6G21-10G,112 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ SOT538A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:700mW 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-538A 供应商器件封装:2-CDIP 标准包装:20 BLF6G20S-45,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 360mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 19.2dB 2.5W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:19.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:360mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:100 BLF6G20S-45,112 功能描述:FET RF 65V 1.88GHZ SOT608B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:19.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:360mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608B 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF6G20S-230PRN:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:过期 晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A 功率 - 输出:65W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:SOT539B 标准包装:100 BLF6G22LS-100,112 BLF6G22LS-100,118 BLF6G22LS-130,112 BLF6G22LS-130,118 BLF6G22LS-180PN,11 BLF6G22LS-180PN:11 BLF6G22LS-180RN,11 BLF6G22LS-180RN:11 BLF6G22LS-40P,112 BLF6G22LS-40P,118 BLF6G22LS-75,112 BLF6G22LS-75,118 BLF6G22S-45,112 BLF6G24-180PN,112 BLF6G27-10,112 BLF6G27-10,118 BLF6G27-100,112 BLF6G27-100,118
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