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BLF6G22LS-75,118

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF6G22LS-75,118 技术参数

BLF6G22LS-75,112 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:18.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:690mA 功率 - 输出:17W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G22LS-40P,118 功能描述:FET RF 2CH 65V 2.17GHZ SOT1121B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:410mA 功率 - 输出:13.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:1 BLF6G22LS-40P,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 410mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 19dB 13.5W CDFM4 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:16A 噪声系数:- 电流 - 测试:410mA 功率 - 输出:13.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标准包装:20 BLF6G22LS-180RN:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.4A 2.11GHz ~ 2.17GHz 16dB 40W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:16dB 电压 - 测试:30V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:100 BLF6G22LS-180RN,11 功能描述:FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:16dB 电压 - 测试:30V 额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:40W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标准包装:20 BLF6G27-45,112 BLF6G27-45,135 BLF6G27-75,112 BLF6G27L-40P,112 BLF6G27L-40P,118 BLF6G27L-50BN,112 BLF6G27L-50BN,118 BLF6G27LS-100,112 BLF6G27LS-100,118 BLF6G27LS-135,112 BLF6G27LS-135,118 BLF6G27LS-40P,112 BLF6G27LS-40P,118 BLF6G27LS-40PGJ BLF6G27LS-50BN,112 BLF6G27LS-50BN,118 BLF6G27LS-75,112 BLF6G27LS-75,118