BLF878112

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BLF878112
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
N CH UHF BROADCAST POWER LDMOS 40V 470

BLF878112 技术参数

BLF878,112 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:860MHz 增益:21dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:300W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF872,112 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:- 增益:- 电压 - 测试:32V 额定电流:41A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA 功率 - 输出:300W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT800 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:15 BLF871S,112 功能描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT467B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:19dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT467B 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF871,112 功能描述:FET RF 89V 860MHZ SOT467C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:860MHz 增益:19dB 电压 - 测试:40V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标准包装:20 BLF861A,112 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:860MHz 增益:14.5dB 电压 - 测试:32V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:150W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-540A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF888A,112 BLF888AS,112 BLF888B,112 BLF888BS,112 BLF888DSU BLF888DU BLF888ESU BLF888EU BLF898SU BLF898U BLF8G09LS-270GWJ BLF8G09LS-270GWQ BLF8G09LS-270WJ BLF8G09LS-270WU BLF8G09LS-400PGWJ BLF8G09LS-400PGWQ BLF8G09LS-400PWJ BLF8G09LS-400PWU