BS108ZL1G全国供应商 BS108ZL1G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

配单专家企业名单

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说明
操作

BS108ZL1G
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
ON
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BS108ZL1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865300
ON
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

BS108ZL1G
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
ON/安森美
TO-92
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BS108ZL1G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
15+
135
新批次
-
原装现货价格当天确认

BS108ZL1G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
04+/05+/06
-
假一罚十，百分百原装正品

BS108ZL1G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ON
TO-92
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BS108ZL1G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1000
ON
0511+
-
现货库存Q

BS108ZL1G
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8865
ON
TO-92
15+
-
绝对公司原装现货

BS108ZL1G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4212
ON
TO-92
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET 200V 250mA Logic Level N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BS108ZL1G 技术参数

BS108G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BS108/01,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BS108,126 功能描述:MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，2.8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:120pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BS107PSTZ 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS107PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:E-Line-3 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）标准包装:2,000 BS12I BS12I-22 BS12I-HD-24AWG BS12I-MC BS12I-NICAD BS12T BS12T-HD BS12T-MC BS1301-7R BS14-C BS14-E BS14-L BS14-M BS14P-SHF-1AA(LF)(SN) BS-150.000MBC-T BS-150.000MCC-T BS1501-7R BS1501-7RB1