您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BSC313V3BD(19.6608MHZ)

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSC313V3BD(19.6608MHZ)
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5000
BST
4PIN
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G

BSC313V3BD(19.6608MHZ) PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSC313V3BD(19.6608MHZ) 技术参数

BSC265N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC252N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB