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BSC32N03S
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
30000
英飞凌
SON-8
18+
-
长期供应

BSC32N03S
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
QFN8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSC32N03S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEO
QFN
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC32N03S
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
INFINEON
CLCC
0608+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSC32N03S
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INFINEON
QFN
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC32N03S
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
699
INFINEON
QFN
08+
-
原装现货13661385246

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BSC32N03S 技术参数

BSC320N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 36A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC320N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 36A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2350pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC265N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC252N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.2A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB

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