BSM100GB120DN1

配单专家企业名单

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说明
操作

BSM100GB120DN1
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
EUPEC
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM100GB120DN11
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SIEMENS
模块
00+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM100GB120DN11
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
231
EUPEC
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

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1

您是不是要找： BSM100GB60DLC BSM100GB60DLCHOSA1 BSM120D12P2C005 BSM150GB60DLCHOSA1 BSM150GD60DLC BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X

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BSM100GB120DN1 技术参数

BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件状态:过期压力类型:排气式压力计工作压力:15 PSI（103.42 kPa）输出类型:模拟电压输出:0 mV ~ 79.5 mV（3V）精度:±2% 电压 - 电源:6V 端口尺寸:- 端口样式:无端口特性:- 端子类型:表面贴装型最高压力:45 PSI（310.26 kPa）工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-CLCC 供应商器件封装:8-LCC 标准包装:1 BSM 功能描述:9V MALE SNAP 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件状态:有效电池类型，功能:9V，卡入式触点（单）样式:触点，卡入式（负极）电池尺寸:9V 电池数:- 电池系列:- 安装类型:自定义端子类型:- 板上高度:- 工作温度:- 标准包装:1,000 BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1