BSO072N3S

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说明
操作

BSO072N3S
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
SMD8
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

BSO072N3S
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
SMD8
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSO072N3S
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

BSO072N3S
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
4002
INFINEON
SOP8
2012+
-
只做原装正品

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1

您是不是要找： BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO080P03NS3GXUMA1 BSO080P03S H BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SNTMA1 BSO083N03MSGXUMA1 BSO094N03S BSO104N03S BSO110N03MSGXUMA1

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BSO072N3S 技术参数

BSO072N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 45μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3230pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO065N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO064N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.4 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3620pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO052N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 70μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5530pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO051N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.1 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO119N03S BSO130N03MSGXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03SNTMA1 BSO150N03 BSO150N03MD G BSO150N03MDGXUMA1 BSO200N03 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H