BSR802NL6327HTSA1全国供应商 BSR802NL6327HTSA1资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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BSR802NL6327HTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
330661
INFINEON
con
24+
-

BSR802NL6327HTSA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1075
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSR802NL6327HTSA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
330661
INFINEON
con
24+
-

BSR802NL6327HTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
330661
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

BSR802NL6327HTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1075
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSR802NL6327HTSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSR802NL6327HTSA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
330661
INFINEON
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24+
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现货常备京北通宇商城可查价格

BSR802NL6327HTSA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
330661
INFINEON
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24+
-
优势库存，原装正品

BSR802NL6327HTSA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59

BSR802NL6327HTSA1 技术参数

BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 3.7A，2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR58LT1G 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 BSR58,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BSR58 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:800mV @ 0.5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 标准包装:1 BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D

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