BSS138AKAR全国供应商【买卖IC网】BSS138AKAR资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS138AKAR
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
240000
NEXPERIA/安世
SOT-23
-
授权代理/原厂FAE技术支持

BSS138AKAR
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT23
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BSS138AKAR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
NEXPERIA/安世
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSS138AKAR
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
85
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BSS138AKAR
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
85
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BSS138AKAR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
NXP
SOT23-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSS138AKAR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66880
NXP
SOT-23
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

BSS138AKAR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BSS138AKAR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
SOT-23（TO-236AB）
18+
-
MOSFET N-CH 60V 0.2A...

BSS138AKAR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
22280
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

BSS138AKAR
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT23
15+
-
原装正品，价格优势！

BSS138AKAR
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
21000
NEXPERIA
价格优势
2433
-
全新原装渠道现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
0.51nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
47pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300mW（Ta），1.06W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-236AB（SOT23）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装
1

BSS138AKAR 技术参数

BSS138AKA/LF1R 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250A 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.51nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS138_L99Z 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138_F085 功能描述:MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215

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