BSS192PL6327XT

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BSS192PL6327XT
深圳市源运电子商行
深圳市源运电子商行
联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
1000
Infineon
16+
-

BSS192PL6327XT
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
Infineon
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

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BSS192PL6327XT 技术参数

BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1,000 BSS192PH6327FTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS192PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 190mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327 BSS215PH6327XTSA1 BSS215PL6327HTSA1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327