BTS-125-01-F-D-A-TR

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BTS-125-01-F-D-A-TR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BTS-125-01-F-D-A-TR 技术参数

BTS-125-01-F-D-A-K 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，外罩触点针脚数:250 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:板件导轨，拾放触头镀层:金触头镀层厚度:闪光接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.160"（4.06mm）标准包装:500 BTS-125-01-F-D-A 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，外罩触点针脚数:250 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:板导轨触头镀层:金触头镀层厚度:闪光接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.160"（4.06mm）标准包装:500 BTS-125-01-F-D 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:插口，外罩触点针脚数:250 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:表面贴装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:闪光接合堆叠高度:5mm 板上高度:0.160"（4.06mm）标准包装:500 BTS121ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 9.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 BTS121AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 9.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A BTS133BKSA1 BTS133E3064NKSA1 BTS133TC BTS133TCBUMA1 BTS134D BTS134DATMA1 BTS135A BTS140A BTS141 BTS141 E3045A BTS141BKSA1 BTS141E3064NKSA1 BTS141TC BTS141TCBUMA1