BTS114-AE31364039

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BTS114-AE31364039
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
infineon
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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BTS114-AE31364039 技术参数

BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS113AE3064NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:P-TO220AB 标准包装:500 BTS113AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 BTS110NKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 BTS110E3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1,000 BTS118DATMA1 BTS120A BTS121AE3045ANTMA1 BTS121ANKSA1 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A