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BUK6228-55C

配单专家企业名单
  • 型号
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  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • NXP

  • DPAK

  • 10+

  • -
  • 原装现货优势库存

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • NXP

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT428

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 100000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT428

  • -
  • 授权代理/原厂FAE技术支持

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:13760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 10000

  • N

  • TO-252

  • 假一赔十!

  • -
  • 绝对原装现货!!

  • BUK6228-55C,118
    BUK6228-55C,118

    BUK6228-55C,118

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:高先生/周小姐/曹先生

    电话:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 76169

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • BUK6228-55C,118
    BUK6228-55C,118

    BUK6228-55C,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • DPAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 55V 31A ...

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 27410

  • N

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 全新原装现货

  • BUK6228-55C
    BUK6228-55C

    BUK6228-55C

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 5000

  • nxp

  • to-252

  • 15+

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETN CH55V22ASOT428
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,55V,22A,SOT428
BUK6228-55C 技术参数
  • BUK6226-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 33A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):80W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK6218-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1170pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK6217-55C,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):44A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):33.8nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):80W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 12A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK6215-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 57A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):57A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):61.8nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):128W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 15A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK6213-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 47A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19.5nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1108pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 BUK6510-75C,127 BUK652R0-30C,127 BUK652R1-30C,127 BUK652R3-40C,127 BUK652R6-40C,127 BUK652R7-30C,127 BUK653R2-55C,127 BUK653R3-30C,127 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127 BUK654R6-55C,127 BUK654R8-40C,127 BUK655R0-75C,127 BUK6607-55C,118 BUK6607-75C,118 BUK6610-75C,118
配单专家

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