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BUK7L3R3-34BRC

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  • BUK7L3R3-34BRC
    BUK7L3R3-34BRC

    BUK7L3R3-34BRC

    优势
  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:周小姐

    电话:1916620305713760272017

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 5000

  • NXP

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

  • BUK7L3R3-34BRC
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • BUK7L3R3-34BRC
    BUK7L3R3-34BRC

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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:马先生

    电话:19166264056

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 69800

  • NXP

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

  • BUK7L3R3-34BRC
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

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  • TO-220

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全称
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel TrenchPLUS standard level FET
BUK7L3R3-34BRC 技术参数
  • BUK7L11-34ARC,127 功能描述:MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):34V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2506pF @ 25V 功率 - 最大值:172W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK7L06-34ARC,127 功能描述:MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):34V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4533pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BUK7K8R7-40EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1439pF @ 25V 功率 - 最大值:53W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 基本零件编号:* 标准包装:1 BUK7K89-100EX 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):82.5 mOhm @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):811pF @ 25V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7K6R8-40E,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):28.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1947pF @ 25V 功率 - 最大值:64W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56 供应商器件封装:LFPAK56D 标准包装:1 BUK7M33-60EX BUK7M42-60EX BUK7M45-40EX BUK7M67-60EX BUK7M6R3-40EX BUK7M8R0-40EX BUK7M9R9-60EX BUK7Y07-30B,115 BUK7Y08-40B,115 BUK7Y08-40B/C,115 BUK7Y102-100B,115 BUK7Y10-30B,115 BUK7Y113-100EX BUK7Y12-100EX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B,115 BUK7Y12-80EX BUK7Y13-40B,115
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