BUK7Y113-100EX

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说明
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BUK7Y113-100EX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BUK7Y113-100EX
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
45000
NEXPERIA/安世
SOT669
-
授权代理/原厂FAE技术支持

BUK7Y113-100EX
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
8066
NXP USA Inc.
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BUK7Y113-100EX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 100V 12A...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK7Y113-100E/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 100V LFPAK56

BUK7Y113-100EX 技术参数

BUK7Y10-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1183pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y102-100B,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:779pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y08-40B/C,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2040pF @ 25V 功率 - 最大值:105W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK，电源-SO8 标准包装:1,500 BUK7Y08-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:36.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2040pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y07-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:31nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1773pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:105W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y18-55B,115 BUK7Y18-75B,115 BUK7Y19-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y20-30B,115 BUK7Y21-40EX BUK7Y22-100EX BUK7Y25-40B,115 BUK7Y25-40B/C,115 BUK7Y25-60EX BUK7Y25-80EX BUK7Y28-75B,115 BUK7Y29-40EX BUK7Y2R0-40HX BUK7Y2R5-40HX BUK7Y35-55B,115 BUK7Y38-100EX BUK7Y3R0-40EX