BUK7Y4R8-60EX全国供应商【买卖IC网】BUK7Y4R8-60EX资料|PDF Datasheet|价格 Nexperia USA Inc.

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

BUK7Y4R8-60EX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT669
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK7Y4R8-60EX
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BUK7Y4R8-60EX
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
NEXPERIA
con
24+
-
场效应管

BUK7Y4R8-60EX
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Nexperia
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BUK7Y4R8-60EX
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

BUK7Y4R8-60EX
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
NXP
SOT-669
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

BUK7Y4R8-60EX
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，电源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 60V 100A...

BUK7Y4R8-60EX
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6135
NXP SEMIC
1521+
-
全新原装现货

BUK7Y4R8-60EX
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
10
nxp
sot-669
16+
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
制造商
nexperia usa inc.
系列
TrenchMOS??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
73.1nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5520pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
238W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
4.8 毫欧 @ 25A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
标准包装
1

BUK7Y4R8-60EX 技术参数

BUK7Y4R4-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2781pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y43-60EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:617pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y41-80EX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1119pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:64W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK7Y3R5-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:53nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3441pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:115W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 标准包装:1 BUK7Y3R5-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:49.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3583pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 基本零件编号:* 标准包装:1 BUK7Y8R7-60EX BUK7Y98-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK9107-40ATC,118 BUK9107-55ATE,118 BUK9207-30B,118 BUK9209-40B,118 BUK9212-55B,118 BUK9213-30A,118 BUK9213-60EJ BUK9214-30A,118 BUK9214-80EJ BUK92150-55A,118 BUK92150-55A/CDJ BUK9215-55A,118 BUK9216-100EJ BUK9217-75B,118 BUK9219-55A,118

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