BYD77B,115

配单专家企业名单

型号
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封装
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说明
操作

BYD77B,115
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
876500
Philips
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

BYD77B,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
86214
NXP USA Inc.
SOD-87
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BYD77B,115
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
63919
NXP USA Inc.
SOD-87
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BYD77B,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
MELF
18+
-
DIODE AVALANCHE 100V...

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1

您是不是要找： BYD77D,115 BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR3 BYG10DHE3/TR BYG10DHE3/TR3 BYG10DHE3_A/H BYG10DHE3_A/I BYG10DHM3/TR BYG10DHM3/TR3

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功能描述
DIODE AVAL GPP 2A 100V SOD87
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

BYD77B,115 技术参数

BYD37M,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-87 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 BYD33MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 BYD33MGPHE3/54 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,500 BYD33MGP-E3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:3,000 BYD33MGP-E3/54 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,500 BYG10DHM3_A/H BYG10DHM3_A/I BYG10D-M3/TR BYG10D-M3/TR3 BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR