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BYM300A160DN13C_E3222

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 功能描述
  • IGBT 模块
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 产品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 600 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 1.95 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 230 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作温度
  • + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 34MM
  • 封装
BYM300A160DN13C_E3222 技术参数
  • BYM300A120DN2HOSA1 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):- 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60-E3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:80pF @ 4V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45
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