BYW99PI-200RG

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说明
操作

BYW99PI-200RG
优势
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
23480
ST
3TOPI
全新环保批次
-

BYW99PI-200RG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
17587
ST/意法
3TOPI
22+
-

BYW99PI-200RG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ST
3TOPI
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

BYW99PI-200RG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TOP-3I
18+
-
Diode Array 1 Pair C...

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1

您是不是要找： BYW99W-200 BYWB29-100-E3/45 BYWB29-100-E3/81 BYWB29-100HE3/45 BYWB29-100HE3/81 BYWB29-150-E3/45 BYWB29-150-E3/81 BYWB29-150HE3/45 BYWB29-150HE3/81

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功能描述
整流器 15 Amp 200 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

BYW99PI-200RG 技术参数

BYW99P-200 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 15A Through Hole, Radial TO-218-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:15A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:40ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 200V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:30 BYW98-200RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BYW98-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BYW86-TR 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:7.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 BYW86TAP 功能描述:Diode Avalanche 1000V (1kV) 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:7.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 BYWB29-200-E3/45 BYWB29-200-E3/81 BYWB29-200HE3/45 BYWB29-200HE3/81 BYWB29-50-E3/45 BYWB29-50-E3/81 BYWB29-50HE3/45 BYWB29-50HE3/81 BYWE29-100-E3/45 BYWE29-200-E3/45 BYWF29-100-E3/45 BYWF29-100HE3/45 BYWF29-150-E3/45 BYWF29-150HE3/45 BYWF29-200-E3/45 BYWF29-200HE3/45 BYWF29-50-E3/45 BYWF29-50HE3/45