BZ-C51K-NB4CN-K7A-AV-R-LC4.2(LG)

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BZ-C51K-NB4CN-K7A-AV-R-LC4.2(LG) 技术参数

BZB984-C9V1,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 9.1V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:4,000 BZB984-C8V2,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 8.2V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:4,000 BZB984-C7V5,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 7.5V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:4,000 BZB984-C6V8,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.8V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:4,000 BZB984-C6V2,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售配置:1 对共阳极电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-663 供应商器件封装:SOT-663 标准包装:1 BZD17C100P RUG BZD17C100P RVG BZD17C100P-E3-08 BZD17C100P-E3-18 BZD17C10P-E3-08 BZD17C10P-E3-18 BZD17C110P-E3-08 BZD17C110P-E3-18 BZD17C11P M2G BZD17C11P MHG BZD17C11P MQG BZD17C11P MTG BZD17C11P R3G BZD17C11P RFG BZD17C11P RHG BZD17C11P RQG BZD17C11P RTG BZD17C11P RUG