BZV55-C3V9/BZV55C3V9/3.9V

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BZV55-C3V9/BZV55C3V9/3.9V 技术参数

BZV55-C3V9,115 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80C 基本零件编号:BZV55C3V9 标准包装:1 BZV55C3V9 L1G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:2,500 BZV55C3V9 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:10,000 BZV55C3V9 功能描述:Zener Diode 3.9V ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 BZV55C3V6-TP 功能描述:Zener Diode 3.6V 500mW ±6% Surface Mount Mini MELF 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:1 BZV55-C47,115 BZV55C4V3 BZV55C4V3 L0G BZV55C4V3 L1G BZV55-C4V3,115 BZV55-C4V3,135 BZV55C4V3-TP BZV55C4V7 BZV55C4V7 L0G BZV55C4V7 L1G BZV55-C4V7,115 BZV55-C4V7,135 BZV55C4V7-TP BZV55C51 BZV55C51 L0G BZV55C51 L1G BZV55-C51,115 BZV55-C51,135