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BZX55-C2V7/TAP

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BZX55-C2V7/TAP
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
VISHAY
原厂原封
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

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BZX55-C2V7/TAP 技术参数

BZX55C2V7 A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C2V7 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±7% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.7V 容差:±7% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55C2V4-TR 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C2V4-TAP 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C2V4_T50R 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C33 BZX55C33 A0G BZX55C33_T50A BZX55C33_T50R BZX55C33-TAP BZX55C33-TR BZX55C36 BZX55C36 A0G BZX55C36_T50A BZX55C36_T50R BZX55C36-TAP BZX55C36-TR BZX55C39 BZX55C39 A0G BZX55C39_T50A BZX55C39_T50R BZX55C39-TAP BZX55C39-TR