BZX79-B3V0113

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BZX79-B3V0113
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BZX79-B3V0113
深圳市芯脉实业有限公司
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BZX79-B3V0113 技术参数

BZX79-B3V0,143 功能描述:Zener Diode 3V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B3V0,133 功能描述:DIODE ZENER 3V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 基本零件编号:BZX79B3V0 标准包装:1 BZX79-B3V0,113 功能描述:Zener Diode 3V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:10,000 BZX79B3V0 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 50V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX79-B39,143 功能描述:Zener Diode 39V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 27.3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:ALF2 标准包装:5,000 BZX79-B3V9,113 BZX79-B3V9,133 BZX79-B3V9,143 BZX79B43 A0G BZX79-B43,113 BZX79-B43,133 BZX79-B43,143 BZX79B47 A0G BZX79-B47,113 BZX79-B47,133 BZX79-B47,143 BZX79B4V3 A0G BZX79-B4V3,113 BZX79-B4V3,133 BZX79-B4V3,143 BZX79B4V7 A0G BZX79-B4V7,113 BZX79-B4V7,133