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BZX85C43T/B

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BZX85C43T/B
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
EIC
Standard
2024+
-
正宗原装现货

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BZX85C43T/B 技术参数

BZX85C43_T50R 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 BZX85C43_T50A 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:3,000 BZX85C43 R0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 BZX85C43 A0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:3,000 BZX85C43 功能描述:Zener Diode 43V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 30V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G BZX85C4V3_T50A BZX85C4V3_T50R BZX85C4V3-TAP BZX85C4V3-TR BZX85C4V7 BZX85C4V7 A0G BZX85C4V7 R0G BZX85C4V7_T50A BZX85C4V7_T50R BZX85C4V7-TAP BZX85C4V7-TR BZX85C51 BZX85C51 A0G BZX85C51 R0G BZX85C51_T50R