C2M0280120D

配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

C2M0280120D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

C2M0280120D
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5455
CREE INC.
管件
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
制造商
cree/wolfspeed
系列
Z-FET??
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
370 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 1.25mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
20.4nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
259pF @ 1000V
功率 - 最大值
62.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
标准包装
30

C2M0280120D 技术参数

C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:196 毫欧 @ 10A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 18mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:188nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0040120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1893pF @ 1000V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0025120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2PC,GY C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G