C4D40120D全国供应商【买卖IC网】C4D40120D资料|PDF Datasheet|价格 Cree/Wolfspeed

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说明
操作

C4D40120D
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
18721
22+
-
原装原厂现货

C4D40120D
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
1030
Cree/Wolfspe
TO247-3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

C4D40120D
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
CREE
con
24+
-
电子元件

C4D40120D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247-3
25+
-
国产品牌，替代进口

C4D40120D
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
CREE
con
24+
-
电子元件

C4D40120D
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
CREE
TO247
22+
-
全新原装现货供应

C4D40120D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

C4D40120D
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
542
Cree, Inc.
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

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1

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功能描述
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

C4D40120D 技术参数

C4D30120D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 21.5A Through Hole TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:21.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 15A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C4D20120D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 16A Through Hole TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:16A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C4D20120A 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 20A (DC) Through Hole TO-220-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 20A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:1500pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 C4D15120D 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 24.5V (DC) Through Hole TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:24.5V（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 8A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C4D15120A 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Through Hole TO-220-2 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-Rec? 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 15A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:1200pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 C4DEIPQ6100A8TK C4DEIPQ6140A8TK C4DENPQ5470A8TK C4DENPQ5680A8TK C4DENPQ6100A8TK C4DF2442PBK1 C4DF2442SBK1 C4DF2442V65BK1 C4DF2442VBK1 C4DF2473PBK1 C4DF2473SBK1 C4DF2473V65BK1 C4DF2473VBK1 C4DF2477PBK1 C4DF2477SBK1 C4DF2477VBK1 C4DF3077PBK1 C4DF3077SBK1

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