CMPFCD86

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CMPFCD86GN220
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
CHAMPIO
TO-220A
22+
-
全新原装现货供应

CMPFCD86GN220
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
CHAMPION
TO-220AC
1706+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CMPFCD86GN220
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
40000
CHAMPION
TO-220AC
18+
-
专注原装,有货

CMPFCD86XN220=PFCD86X
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CHAMPION
TO-220-2
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！！

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制造商
CHAMP
制造商全称
CHAMP
功能描述
PFC Diode (8A/600V)

CMPFCD86 技术参数

CMPF5485 TR 功能描述:JFET N-Channel 25V 4mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 CMPF4416A TR 功能描述:JFET N-Channel 35V 5mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.5pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4393 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 5mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:100 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4392 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 25mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4391 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK CMPSH-3 TR CMPSH-3A TR CMPSH-3AE TR CMPSH-3C TR CMPSH-3CE TR