配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CMZ5342B TR13
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
96000
Central
SMC
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CMZ5342B TR13
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Central
SMC
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

CMZ5342B BK
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
18767
Central Semiconductor
SMC-2
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CMZ5342BTR13
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
Centralsemi
SMC
06/07+
-
全新原装100%正品保证质量

CMZ5342B TR13 PBFREE
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
9000
CENTRAL SEMICONDUCTOR
价格优势
2428
-
全新原装渠道现货

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制造商
CENTRAL
制造商全称
Central Semiconductor Corp
功能描述
SURFACE MOUNT HIGH POWER SILICON ZENER DIODE 10 WATT, 6.8 THRU 200 VOLTS

CMZ5342B 技术参数

CMZ27(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 19V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ24(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ22(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 16V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ20(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:20V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-128 供应商器件封装:M-FLAT（2.4x3.8）标准包装:3,000 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK CMZ5929B TR13 CMZ5930B BK CMZ5930B TR13

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