CPH3439-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CPH3439-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
19500
SANYO
CPH3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CPH3439-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
SANYO
SOT23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CPH3439-TL-E
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
57359
Sanyo
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

CPH3439-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
SANYO
SOT-23
15+
-
原装正品，假一罚十

CPH3439-TL-E
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
23400
SAYON
CPH3
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

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制造商
SANYO
功能描述
Nch 30V 4.5A bogR Tape & Reel
制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET N CH 30V 4.5A SOT346
制造商
Sanyo
功能描述
0

CPH3439-TL-E 技术参数

CPH3430-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:240pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3362-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 欧姆 @ 700mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:142pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:303 毫欧 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 CPH3360-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:303 毫欧 @ 800mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E CPH5518-TL-E CPH5518-TL-H