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CSD23202W10T

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 操作
  • CSD23202W10T
    CSD23202W10T

    CSD23202W10T

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 7500

  • TI

  • 原厂原装

  • 1728+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • CSD23202W10T
    CSD23202W10T

    CSD23202W10T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

  • 2999

  • Ti

  • DSBGA (YZB)

  • 21

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • CSD23202W10T
    CSD23202W10T

    CSD23202W10T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • CSD23202W10T
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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 27117

  • TI/德州仪器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原装

  • CSD23202W10T
    CSD23202W10T

    CSD23202W10T

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6035

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • CSD23202W10T
    CSD23202W10T

    CSD23202W10T

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • TEXAS INSTRUMENTS

  • N/A

  • 15+

  • -
  • 原装正品 价格优势!

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CSD23202W10T PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 12V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 2.2A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 53 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 3.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 512pF @ 6V
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 4-UFBGA,DSBGA
  • 供应商器件封装
  • 4-DSBGA(1x1)
  • 标准包装
  • 1
CSD23202W10T 技术参数
  • CSD23202W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):512pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA(1x1) 标准包装:1 CSD23201W10 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):82 毫欧 @ 500mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:4-DSBGA(1x1) 标准包装:1 CSD22206WT 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):8V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):14.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):-6V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2275pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 2A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:9-DSBGA(1.5x1.5) 封装/外壳:9-UFBGA,DSBGA 标准包装:1 CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):8V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):-6V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散(最大值):600mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.9 毫欧 @ 1A, 4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:4-PICOSTAR 封装/外壳:4-XFLGA 标准包装:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):8V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24.6nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:9-UFBGA,DSBGA 供应商器件封装:9-DSBGA 标准包装:1 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440
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