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CY7C1525JV18-250BZCES

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    CY7C1525JV18-250BZCES

    CY7C1525JV18-250BZCES

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人：张小姐/韩先生

    电话：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2520

  • CYP

  • 原厂标准封装

  • n/a

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  • 原装现货特价，停产偏冷优势供应！数量需确...

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
CY7C1525JV18-250BZCES 技术参数
  • CY7C1525JV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 8M x 9 1.8V QDR-II 静态随机存取存储器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1523KV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1523JV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1523AV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1523AV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1525KV18-333BZXC CY7C1525V18-200BZC CY7C1525V18-200BZXC CY7C1525V18-250BZXC CY7C1526KV18-300BZXC CY7C1543KV18-400BZC CY7C1543KV18-400BZI CY7C1543KV18-450BZC CY7C1543KV18-450BZI CY7C1543V18-333BZC CY7C1543V18-333BZI CY7C1543V18-375BZC CY7C1545KV18-400BZC CY7C1545KV18-400BZXI CY7C1545KV18-450BZC CY7C1545KV18-450BZXI CY7C1545V18-333BZC CY7C1545V18-375BZC
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