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CYD18S36V-100BBC

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  • CYD18S36V-100BBC
    CYD18S36V-100BBC

    CYD18S36V-100BBC

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

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  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
  • SRAM SYNC DUAL 3.3V 18MBIT 512KX36 5.2NS 256BGA - Bulk
CYD18S36V-100BBC 技术参数
  • CYD18S18V18-200BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-200BBAXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-167BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18432KB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD09S72V18-250BBXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 250MHZ 256LFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CYD09S72V18-200BGXI 功能描述:静态随机存取存储器 9216K (128Kx72) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S72V18-167BGI CYD18S72V18-167BGXC CYD18S72V18-200BBXC CYD18S72V18-200BBXI CYD18S72V18-200BGI CYD18S72V18-200BGXI CYD18S72V18-250BBXC CYD36S18V18-167BGXC CYD36S18V18-167BGXI CYD36S18V18-200BGXC CYD36S36V18-133BBXC CYD36S36V18-133BBXI CYD36S36V18-167BBXC CYD36S36V18-167BBXI CYD36S36V18-167BGXC CYD36S36V18-167BGXI CYD36S36V18-200BBXC CYD36S36V18-200BGXC
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